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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.69 EUR |
| 10+ | 7.30 EUR |
| 25+ | 6.88 EUR |
| 100+ | 5.90 EUR |
| 250+ | 5.58 EUR |
| 500+ | 5.24 EUR |
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Technische Details SIEH4800EW-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: PowerPAK BWL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIEH4800EW-T1-GE3
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SIEH4800EW-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PowerPAK BWL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIEH4800EW-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PowerPAK BWL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |