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SIGC10T60EX1SA5

SIGC10T60EX1SA5 Infineon Technologies


5133146955902378dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 3-Pin Die Wafer
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Technische Details SIGC10T60EX1SA5 Infineon Technologies

Description: IGBT CHIP, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: Die, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A.

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SIGC10T60EX1SA5 SIGC10T60EX1SA5 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-SIGC10T60E-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b843ba8c832bb Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
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