| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 2.64 EUR |
| 73+ | 2.38 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |
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Technische Details SIHA11N80E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SIHA11N80E-GE3 nach Preis ab 1.93 EUR bis 10.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHA11N80E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHA11N80E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHA11N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 2.64 EUR |
| 73+ | 2.33 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| SIHA11N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Produktpalette: E
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 25+ | 10.38 EUR |
| 44+ | 5.36 EUR |
| 100+ | 4.2 EUR |
| 500+ | 3.58 EUR |



