| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.82 EUR |
| 10+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 4.14 EUR |
| 500+ | 3.42 EUR |
| 1000+ | 3.36 EUR |
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Technische Details SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHA150N60E-GE3 nach Preis ab 3.22 EUR bis 8.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHA150N60E-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEADPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHA150N60E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHA150N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.98 EUR |
| 10+ | 5.94 EUR |
| 100+ | 4.2 EUR |
| 500+ | 3.46 EUR |
| 1000+ | 3.22 EUR |
| SIHA150N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)