SIHA15N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
auf Bestellung 975 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 3.38 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.28 EUR |
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Technische Details SIHA15N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.304ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHA15N80AE-GE3 nach Preis ab 1.81 EUR bis 4.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHA15N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 800V N-CHANNEL |
auf Bestellung 3955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHA15N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.304ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHA15N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHA15N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 29A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHA15N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 29A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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