SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 9.94 EUR |
| 25+ | 6.27 EUR |
| 100+ | 5.27 EUR |
| 500+ | 4.92 EUR |
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Technische Details SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SIHB053N60E-GE3 nach Preis ab 4.95 EUR bis 10.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SIHB053N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB053N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHB053N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHB053N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 278W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB053N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 278W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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