SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.9 EUR |
| 10+ | 8.46 EUR |
| 100+ | 6.24 EUR |
| 500+ | 5.53 EUR |
| 1000+ | 5.05 EUR |
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Technische Details SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.
Weitere Produktangebote SIHB065N60E-GE3 nach Preis ab 8.01 EUR bis 13.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIHB065N60E-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 2115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHB065N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.74 EUR |
| 21+ | 11.11 EUR |
| 25+ | 8.73 EUR |
| 50+ | 8.31 EUR |
| 100+ | 8.19 EUR |
| 250+ | 8.01 EUR |