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SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3 Vishay / Siliconix

sihb100n60e.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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Technische Details SIHB100N60E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V.

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SIHB100N60E-GE3 SIHB100N60E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihb100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
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SIHB100N60E-GE3 SIHB100N60E-GE3 Hersteller : Vishay sihb100n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SIHB100N60E-GE3 Hersteller : VISHAY sihb100n60e.pdf SIHB100N60E-GE3 SMD N channel transistors
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