SIHB125N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.38 EUR |
| 10+ | 3.73 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 3.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHB125N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHB125N60EF-GE3 nach Preis ab 3.52 EUR bis 5.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB125N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SIHB125N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SIHB125N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| SIHB125N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIHB125N60EF-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |