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Technische Details SIHB12N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHB12N60E-GE3 nach Preis ab 1.46 EUR bis 3.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A Power dissipation: 147W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V |
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SIHB12N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A Power dissipation: 147W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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