SIHB21N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.10 EUR |
| 10+ | 2.60 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 2.06 EUR |
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Technische Details SIHB21N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHB21N80AE-GE3 nach Preis ab 2.27 EUR bis 4.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SIHB21N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 18821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB21N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHB21N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB21N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIHB21N80AE-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |