SIHB35N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 14.9 EUR |
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Technische Details SIHB35N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHB35N60EF-GE3 nach Preis ab 7.77 EUR bis 15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: EF productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: SMD Gate charge: 134nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: SMD Gate charge: 134nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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