SIHB35N60EF-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
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Technische Details SIHB35N60EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIHB35N60EF-GE3 SMD N channel transistors |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V |
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SIHB35N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
Produkt ist nicht verfügbar |