SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 5.4A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 78W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 940mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHB6N80E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SIHB6N80E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 E Series Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB6N80E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB6N80E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB6N80E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |