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SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3 Vishay / Siliconix

sihd2n80ae.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)
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Technische Details SIHD2N80AE-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihd2n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
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SIHD2N80AE-GE3 Hersteller : VISHAY sihd2n80ae.pdf SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
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