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SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3 Vishay / Siliconix

sihd3n50d.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 3102 Stücke:
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Technische Details SIHD3N50D-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Weitere Produktangebote SIHD3N50D-GE3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.81 EUR
202+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
129+1.81 EUR
202+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix sihd3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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150+1.81 EUR
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SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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129+1.81 EUR
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SIHD3N50D-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
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AnzahlPrivatkunde
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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