SIHD3N50D-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 1.81 EUR |
| 202+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
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Technische Details SIHD3N50D-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote SIHD3N50D-GE3 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIHD3N50D-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 2664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHD3N50D-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
auf Bestellung 4661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHD3N50D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 106+ | 2.38 EUR |
| 129+ | 1.81 EUR |
| 202+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| SIHD3N50D-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 4661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.93 EUR |
| 10+ | 1.82 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 3000+ | 0.73 EUR |
| 6000+ | 0.64 EUR |