SIHD5N50D-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIHD5N50D-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHD5N50D-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHD5N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIHD5N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIHD5N50D-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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| SIHD5N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHD5N50D-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
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| SIHD5N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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