Produkte > VISHAY / SILICONIX > SIHF540S-GE3
SIHF540S-GE3

SIHF540S-GE3 Vishay / Siliconix


sihf540s.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.93 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
2000+ 1.71 EUR
5000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHF540S-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; TO263, Power dissipation: 150W, On-state resistance: 77mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 72nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 110A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 20A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote SIHF540S-GE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SIHF540S-GE3 SIHF540S-GE3 Hersteller : Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
SIHF540S-GE3 SIHF540S-GE3 Hersteller : Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
SIHF540S-GE3 Hersteller : VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SIHF540S-GE3 SIHF540S-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
SIHF540S-GE3 Hersteller : VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar