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SIHF634STRR-GE3 Vishay / Siliconix



Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET
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Technische Details SIHF634STRR-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 74W, Gate charge: 41nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 5.1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 250V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; TO263.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHF634STRR-GE3 SIHF634STRR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
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SIHF634STRR-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
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