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SIHF9530S-GE3

SIHF9530S-GE3 VISHAY


Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
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Technische Details SIHF9530S-GE3 VISHAY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: -48A, Power dissipation: 88W, Gate charge: 38nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -8.2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -100V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 0.3Ω.

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