Produkte > VISHAY SILICONIX > SIHFL9014TR-GE3
SIHFL9014TR-GE3

SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix

sihfl901.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 3.1W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm.

Weitere Produktangebote SIHFL9014TR-GE3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Vishay / Siliconix sihfl901.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-223
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 VISHAY sihfl901.pdf Description: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
148+1.57 EUR
220+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 VISHAY sihfl901.pdf Description: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
148+1.57 EUR
220+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014TR-GE3 sihfl901.pdf
SIHFL9014TR-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-223
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014TR-GE3 sihfl901.pdf
SIHFL9014TR-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014TR-GE3 sihfl901.pdf
SIHFL9014TR-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+2.7 EUR
148+1.57 EUR
220+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014TR-GE3 sihfl901.pdf
SIHFL9014TR-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
148+1.57 EUR
220+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH