
SIHFPS37N50A-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 315 Stücke:
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Technische Details SIHFPS37N50A-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHFPS37N50A-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SIHFPS37N50A-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHFPS37N50A-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHFPS37N50A-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHFPS37N50A-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 144A Power dissipation: 446W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHFPS37N50A-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V |
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SIHFPS37N50A-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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SIHFPS37N50A-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 144A Power dissipation: 446W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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