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SIHFR9220-GE3

SIHFR9220-GE3 Vishay / Siliconix

sihfr922.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
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Technische Details SIHFR9220-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote SIHFR9220-GE3 nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.55 EUR

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SIHFR9220-GE3 SIHFR9220-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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SIHFR9220-GE3 SIHFR9220-GE3 Hersteller : Vishay sihfr922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SIHFR9220-GE3 Hersteller : VISHAY sihfr922.pdf SIHFR9220-GE3 SMD P channel transistors
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