| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.68 EUR |
| 10+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 3000+ | 0.67 EUR |
| 6000+ | 0.64 EUR |
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Technische Details SIHFR9220-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHFR9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: -200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SiHFR9220 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.
Weitere Produktangebote SIHFR9220-GE3 nach Preis ab 0.81 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| SIHFR9220-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHFR9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: -200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SiHFR9220 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHFR9220-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHFR9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SiHFR9220 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: VISHAY - SIHFR9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SiHFR9220 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.43 EUR |
| 143+ | 1.62 EUR |
| 250+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1500+ | 0.92 EUR |
| 3000+ | 0.81 EUR |