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Technische Details SIHFU9220-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote SIHFU9220-GE3 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHFU9220-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA |
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SIHFU9220-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251) |
auf Bestellung 2952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHFU9220-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
auf Bestellung 2753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHFU9220-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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