SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 524W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG018N60E-GE3 nach Preis ab 14.75 EUR bis 26.93 EUR
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SIHG018N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 524W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V |
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SIHG018N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 524W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SIHG018N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
E Series Power MOSFET TO247AC, 39 m @ 10V |
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SIHG018N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
N Channel MOSFET |
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SIHG018N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
N Channel MOSFET |
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| SIHG018N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 63A Pulsed drain current: 325A Power dissipation: 524W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIHG018N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 63A Pulsed drain current: 325A Power dissipation: 524W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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