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Technische Details SIHG039N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.034 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG039N60E-GE3 nach Preis ab 7.60 EUR bis 19.22 EUR
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SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
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SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.034 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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| SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 199A Gate charge: 126nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V |
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| SIHG039N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 199A Gate charge: 126nC |
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