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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.36 EUR |
| 10+ | 8.98 EUR |
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| 500+ | 6.48 EUR |
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Technische Details SIHG055N65E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG055N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG055N65E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHG055N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHG055N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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