auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.70 EUR |
| 10+ | 8.15 EUR |
| 100+ | 6.58 EUR |
| 500+ | 5.86 EUR |
| 1000+ | 5.02 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHG075N65E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG075N65E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG075N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |