SIHG085N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 9.98 EUR |
| 10+ | 7.04 EUR |
| 100+ | 5.29 EUR |
| 500+ | 4.82 EUR |
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Technische Details SIHG085N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 184W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG085N60EF-GE3 nach Preis ab 4.86 EUR bis 10.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SIHG085N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG085N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |