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Technische Details SIHG11N80AE-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG11N80AE-GE3 nach Preis ab 2 EUR bis 7.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIHG11N80AE-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG11N80AE-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHG11N80AE-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 2 EUR |
| SIHG11N80AE-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.68 EUR |
| 10+ | 4.36 EUR |
| 100+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.67 EUR |
| 1000+ | 2.48 EUR |
| 2500+ | 2.34 EUR |
| SIHG11N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.75 EUR |
| 47+ | 4.99 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |