Produkte > VISHAY > SIHG11N80AE-GE3
SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3 Vishay


doc92335.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHG11N80AE-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SIHG11N80AE-GE3 nach Preis ab 1.93 EUR bis 5.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : Vishay doc92335.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihg11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.14 EUR
10+3.50 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sihg11n80ae.pdf MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.44 EUR
10+3.68 EUR
100+2.60 EUR
250+2.53 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.99 EUR
2500+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : VISHAY 3098129.pdf Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : Vishay sihg11n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : Vishay doc92335.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : VISHAY sihg11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG11N80AE-GE3 Hersteller : VISHAY sihg11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH