| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.03 EUR |
| 10+ | 7.85 EUR |
| 100+ | 7 EUR |
| 500+ | 4.08 EUR |
| 5000+ | 3.96 EUR |
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Technische Details SIHG11N80E-GE3 Vishay / Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 8A, Power dissipation: 179W, Case: TO247AC, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 440mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 32A, Gate charge: 88nC.
Weitere Produktangebote SIHG11N80E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIHG11N80E-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHG11N80E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 88nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SIHG11N80E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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| SIHG11N80E-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
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| SIHG11N80E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 88nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 88nC
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| SIHG11N80E-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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