SIHG155N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.20 EUR |
| 10+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 4.20 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHG155N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.136 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SIHG155N60EF-GE3 nach Preis ab 3.56 EUR bis 8.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG155N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SIHG155N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.136 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SIHG155N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |