| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details SIHG15N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SIHG15N60E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIHG15N60E-GE3 | VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC Mounting: THT Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO247AC On-state resistance: 0.28Ω Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 180W Gate charge: 78nC Polarisation: unipolar Drain current: 9.6A |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHG15N60E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHG15N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.6A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.6A
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIHG15N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)