| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.49 EUR |
| 10+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| 1000+ | 2.56 EUR |
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Technische Details SIHG15N80AEF-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG15N80AEF-GE3 nach Preis ab 2.92 EUR bis 5.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SIHG15N80AEF-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG15N80AEF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG15N80AEF-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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SIHG15N80AEF-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHG15N80AEF-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.55 EUR |
| 25+ | 3.56 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| SIHG15N80AEF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.62 EUR |
| 69+ | 3.37 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| SIHG15N80AEF-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIHG15N80AEF-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)