SIHG15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 4.89 EUR |
| 25+ | 3.30 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
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Technische Details SIHG15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.305 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG15N80AEF-GE3 nach Preis ab 2.38 EUR bis 5.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIHG15N80AEF-GE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFETs TO247 800V 13A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG15N80AEF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.305 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG15N80AEF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG15N80AEF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG15N80AEF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG15N80AEF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 54nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG15N80AEF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 54nC |
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