SIHG186N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 6.58 EUR |
| 25+ | 3.82 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
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Technische Details SIHG186N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG186N60EF-GE3 nach Preis ab 2.87 EUR bis 7.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SIHG186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG186N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHG186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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SIHG186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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SIHG186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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SIHG186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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