| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.53 EUR |
| 10+ | 6.91 EUR |
| 100+ | 5.09 EUR |
| 500+ | 4.32 EUR |
| 1000+ | 4.11 EUR |
| 2500+ | 4.06 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHG190N65E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG190N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 179W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.
Weitere Produktangebote SIHG190N65E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG190N65E-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHG190N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 179W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHG190N65E-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG190N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: VISHAY - SIHG190N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)