SIHG25N40D-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.14 EUR |
| 10+ | 4.25 EUR |
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Technische Details SIHG25N40D-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG25N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHG25N40D-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHG25N40D-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHG25N40D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG25N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG25N40D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIHG25N40D-GE3 THT N channel transistors |
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SIHG25N40D-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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