Weitere Produktangebote SIHG30N60E-GE3 nach Preis ab 6.07 EUR bis 16.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SIHG30N60E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG30N60E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG30N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG30N60E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHG30N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 8.51 EUR |
| SIHG30N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 8.52 EUR |
| SIHG30N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.27 EUR |
| 10+ | 9.38 EUR |
| 100+ | 7.54 EUR |
| 500+ | 6.07 EUR |
| SIHG30N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.77 EUR |
| 23+ | 10.51 EUR |
| 100+ | 8.01 EUR |




