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Technische Details SIHG30N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG30N60E-GE3 nach Preis ab 3.54 EUR bis 10.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHG30N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHG30N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V |
auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG30N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG30N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG30N60E-GE3 Produktcode: 172042
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SIHG30N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHG30N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 130nC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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SIHG30N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 130nC |
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