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SIHG30N60E-GE3

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Produktcode: 172042
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay sihg30n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay sihg30n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 576 Stücke:
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1+13.51 EUR
10+9.13 EUR
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SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
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2+13.76 EUR
10+9.29 EUR
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SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 402 Stücke:
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16+16.11 EUR
23+10.12 EUR
100+7.71 EUR
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SIHG30N60E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG30N60E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG30N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG30N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
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SIHG30N60E-GE3 VISH-S-A0011299558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG30N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 402 Stücke:
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