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SIHG33N60E-GE3 Vishay


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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details SIHG33N60E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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