auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 3.31 EUR |
| 100+ | 3.18 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHG33N60E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SIHG33N60E-GE3 nach Preis ab 3.18 EUR bis 8.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 278 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: E Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: To Be Advised |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Case: TO247AC On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 278W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
 |
SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| SIHG33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Case: TO247AC On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 278W |
Produkt ist nicht verfügbar |