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SiHG33N65E-GE3

SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix

sihg33n65e.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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Technische Details SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 313W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SiHG33N65E-GE3 SiHG33N65E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihg33n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
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SIHG33N65E-GE3 SIHG33N65E-GE3 Hersteller : Vishay doc91716.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG33N65E-GE3 SIHG33N65E-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011299528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
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Verlustleistung Pd: 313W
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Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
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SiHG33N65E-GE3 Hersteller : VISHAY sihg33n65e.pdf SIHG33N65E-GE3 THT N channel transistors
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