| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.25 EUR |
| 10+ | 9.35 EUR |
| 100+ | 7.55 EUR |
| 500+ | 6.32 EUR |
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Technische Details SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W; TO247AC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 101A, Power dissipation: 313W, Case: TO247AC, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.105Ω, Mounting: THT, Gate charge: 173nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SiHG33N65E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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SiHG33N65E-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SiHG33N65E-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)