SIHG40N60E-GE3 Vishay Semiconductors
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| 1+ | 10.72 EUR |
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| 500+ | 6.62 EUR |
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Technische Details SIHG40N60E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 329W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SIHG40N60E-GE3 nach Preis ab 6.2 EUR bis 11.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHG40N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V |
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SIHG40N60E-GE3 Produktcode: 154667
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| SIHG40N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG40N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHG40N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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