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SIHG40N60E-GE3


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Produktcode: 154667
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg40n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.95 EUR
25+7.71 EUR
100+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg40n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.01 EUR
10+7.74 EUR
100+7.59 EUR
500+6.76 EUR
1000+6.2 EUR
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SIHG40N60E-GE3 sihg40n60e.pdf
SIHG40N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
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SIHG40N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1+13.01 EUR
10+7.74 EUR
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