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Technische Details SiHG44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.063 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote SiHG44N65EF-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHG44N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.063 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| SIHG44N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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| SiHG44N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 29A Pulsed drain current: 154A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 278nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SiHG44N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5892 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SiHG44N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 29A Pulsed drain current: 154A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 278nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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