Weitere Produktangebote SIHG47N60EF-GE3 nach Preis ab 8.71 EUR bis 17.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG47N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
SIHG47N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
SIHG47N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
SIHG47N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| SIHG47N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 138A Power dissipation: 379W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |