SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
auf Bestellung 484 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 12.09 EUR |
| 10+ | 9.60 EUR |
| 100+ | 7.10 EUR |
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Technische Details SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG47N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote SIHG47N65E-GE3 nach Preis ab 7.37 EUR bis 13.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG47N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 139A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 273nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 139A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 273nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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