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SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix

sihg70n60aef.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5348 pF @ 100 V
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Technische Details SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIHG70N60AEF-GE3 nach Preis ab 11.09 EUR bis 19.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg70n60aef.pdf MOSFETs 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 563 Stücke:
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SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY sihg70n60aef.pdf Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 60A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIHG70N60AEF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
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Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
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Produktpalette: EF
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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