Produkte > VISHAY / SILICONIX > SIHG73N60E-GE3
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3 Vishay / Siliconix

sihg73n60e.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.16 EUR
10+13.25 EUR
100+11.35 EUR
500+11.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHG73N60E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SIHG73N60E-GE3 nach Preis ab 10.74 EUR bis 21.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihg73n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.37 EUR
25+13.31 EUR
100+11.39 EUR
500+10.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 Hersteller : VISHAY sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.52 EUR
7+10.97 EUR
25+10.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Hersteller : Vishay sihg73n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Hersteller : Vishay sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Hersteller : Vishay sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH