| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.47 EUR |
| 10+ | 10.12 EUR |
| 100+ | 7.88 EUR |
| 1000+ | 7.39 EUR |
| 3000+ | 6.7 EUR |
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Technische Details SIHH085N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 184W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.
Weitere Produktangebote SIHH085N60EF-T1GE3 nach Preis ab 7.15 EUR bis 19.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIHH085N60EF-T1GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH085N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 184W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHH085N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.54 EUR |
| 10+ | 11.26 EUR |
| 100+ | 8.28 EUR |
| 500+ | 7.15 EUR |
| SIHH085N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 184W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: VISHAY - SIHH085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 184W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 19.54 EUR |
| 16+ | 15.27 EUR |
| 19+ | 11.41 EUR |
| 50+ | 10.63 EUR |
| 100+ | 9.83 EUR |
| 250+ | 9.64 EUR |