SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.44 EUR |
| 500+ | 5.19 EUR |
| 1000+ | 5.16 EUR |
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Technische Details SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 174W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHH105N60EF-T1GE3 nach Preis ab 5.02 EUR bis 13.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHH105N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHH105N60EF-T1GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600volts 26amp |
auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH105N60EF-T1GE3 | Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHH105N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.84 EUR |
| 33+ | 7.19 EUR |
| 100+ | 5.44 EUR |
| 500+ | 5.19 EUR |
| 1000+ | 5.16 EUR |
| SIHH105N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600volts 26amp
MOSFETs 600volts 26amp
auf Bestellung 3705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.54 EUR |
| 10+ | 7.91 EUR |
| 100+ | 5.82 EUR |
| 500+ | 5.37 EUR |
| 1000+ | 5.02 EUR |
| SIHH105N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.34 EUR |
| 10+ | 9.04 EUR |
| 100+ | 6.83 EUR |