SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
auf Bestellung 3009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.33 EUR |
| 10+ | 7.30 EUR |
| 100+ | 5.50 EUR |
| 500+ | 5.04 EUR |
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Technische Details SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.091 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 174W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHH105N60EF-T1GE3 nach Preis ab 5.24 EUR bis 10.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SIHH105N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600volts 26amp |
auf Bestellung 5230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH105N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.091 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHH105N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.091 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 174W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHH105N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHH105N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 59A; 174W Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 174W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 59A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHH105N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V |
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| SIHH105N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 59A; 174W Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 174W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 59A Mounting: SMD |
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