SiHH11N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.77 EUR |
| 10+ | 9.76 EUR |
| 100+ | 7.79 EUR |
| 500+ | 6.94 EUR |
| 1000+ | 4.58 EUR |
| 3000+ | 4.25 EUR |
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Technische Details SiHH11N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.382 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.332ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.382ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SiHH11N65EF-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIHH11N65EF-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.382 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.382ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHH11N65EF-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.382 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.332ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.382ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHH11N65EF-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.382 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: E Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.382ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| SIHH11N65EF-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)