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SiHH11N65EF-T1-GE3

SiHH11N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix

sihh11n65ef.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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Technische Details SiHH11N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.382 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.332ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.382ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHH11N65EF-T1-GE3 SIHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018843499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.382 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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SIHH11N65EF-T1-GE3 SIHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh11n65ef.pdf Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.382 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK
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Kanaltyp: n-Kanal
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SIHH11N65EF-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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