SiHH11N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SiHH11N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.332 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.332ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.332ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SiHH11N65EF-T1-GE3
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Preis |
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SIHH11N65EF-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.332 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.332ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SIHH11N65EF-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH11N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.332 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.332ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.332ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHH11N65EF-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
E Series Power MOSFET with Fast Body Diode |
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| SiHH11N65EF-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 130W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 382mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 27A Gate charge: 70nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SiHH11N65EF-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 382mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 100 V |
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SiHH11N65EF-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 382mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 100 V |
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| SiHH11N65EF-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 130W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 382mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 27A Gate charge: 70nC |
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