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SIHH150N60E-T1-GE3

SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihh150n60e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHH150N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm.

Weitere Produktangebote SIHH150N60E-T1-GE3 nach Preis ab 4.24 EUR bis 10.03 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10 EUR
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SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+6.74 EUR
100+4.86 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.33 EUR
3000+4.24 EUR
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SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHH150N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHH150N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
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1+10.03 EUR
10+6.74 EUR
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1000+4.33 EUR
3000+4.24 EUR
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SIHH150N60E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH150N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH150N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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