SIHH20N50E-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6 EUR |
| 500+ | 4.8 EUR |
| 1000+ | 4.33 EUR |
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Technische Details SIHH20N50E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIHH20N50E-T1-GE3 nach Preis ab 4.33 EUR bis 12.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SiHH20N50E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH20N50E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SiHH20N50E-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.83 EUR |
| 10+ | 7.77 EUR |
| 100+ | 5.71 EUR |
| 500+ | 5.09 EUR |
| 1000+ | 4.74 EUR |
| SIHH20N50E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.57 EUR |
| 29+ | 8.03 EUR |
| 100+ | 6 EUR |
| 500+ | 4.8 EUR |
| 1000+ | 4.33 EUR |