SiHH20N50E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SiHH20N50E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SiHH20N50E-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SIHH20N50E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SIHH20N50E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHH20N50E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 4-Pin PowerPAK EP |
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SiHH20N50E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8 Packaging: Tube Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 147mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2063 pF @ 100 V |
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| SiHH20N50E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 174W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 147mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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